- Sections
- H - électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 51/10 - Dispositifs de RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des transistors ferro-électriques de mémoire caractérisés par la configuration vue du dessus
Détention brevets de la classe H10B 51/10
Brevets de cette classe: 97
Historique des publications depuis 10 ans
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
7
|
31
|
36
|
25
|
| 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
56 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
14 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
5 |
| Sandisk Technologies LLC | 5684 |
3 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1290 |
3 |
| Sunrise Memory Corporation | 192 |
3 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
2 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
2 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
2 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
1 |
| Tokyo Electron Limited | 11599 |
1 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2562 |
1 |
| Lam Research Corporation | 4775 |
1 |
| National Cheng Kung University | 505 |
1 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 8770 |
1 |
| Kepler Computing Inc. | 221 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |